Transistors. Page 82 sur 114. Avtronic

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Transistor IRFPC50

Transistor IRFPC50 N-MOS 600V 10A 180W <0.6R (6A). V-MOS-L. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 6 A. Rds (Ohms): 0.6. Puissance: 180 W

Transistor IRFPC60

Transistor IRFPC60 N-MOS 600V 16A 250W <0.4R (6A). V-MOS-L. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 16 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 6 A. Rds (Ohms): 0.4. Puissance: 250 W

Transistor IRFPE40

Transistor IRFPE40 N-MOS 800V 5.4A 150W <2R(3.2A). HEXFET Power MOSFET. ORION TV. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.2 A. Rds (Ohms): 2. Puissance: 150W

Transistor IRFPE50

Transistor IRFPE50 N-MOS 800V 7.8A 190W 1.2R(4.7A. V-MOS L. MOS-N-FET e. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.7 A. Rds (Ohms): 1.2. Puissance: 190 W

Transistor IRFPF40

Transistor IRFPF40 N-MOS 900V 4.7A IDp:19A 150W 2.5R(3A). V-MOS L. <63/214nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.7 A

Transistor IRFPF50

Transistor IRFPF50 N-MOS 900V 6.7A 190W <1.6R(4A). V-MOS L. <63/214nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.7 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4 A. Rds (Ohms): 1.6. Puissance: 190 W

Transistor IRFPG50

Transistor IRFPG50 N-MOS 1000V 6.1A 190W<2R(3.9A). HEXFET. Fast Switch. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 1000 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.9 A. Rds (Ohms): 2. Puissance: 190 W

Transistor IRFPS37N50A

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 500V 36A. Référence d'origine constructeur: IRFPS37N50APbF. Boîtier: SUPER247. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 36A. Puissance: 180W. Résistance Rds: 0.13 Ohms.

Transistor IRFR024N

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 55V. Courant de Drain maxi: 16A. Puissance: 38W. Rds: 0.075 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Transistor IRFR110

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 100V. Courant de Drain maxi: 4.3A. Puissance: 25W. Rds<0.54 Ohm. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Transistor IRFR1205

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 55V. Courant de Drain maxi: 44A. Puissance: 107W. Rds<0.027 Ohm. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Transistor IRFR320

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 400V. Courant de Drain maxi: 3.1A. Puissance: 42W. Rds<1.8 Ohms. HEXFET. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Transistor IRFR3505

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 55V 71A. Référence d'origine constructeur: IRFR3505PBF. Boîtier: D-PAK TO-252AA. Vds(max): 55V. Id(@25ºC): 71A. Puissance: 140W. Résistance Rds: 0.011 Ohms. HEXFET Power MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +175°C.

Transistor IRFR3709Z

Transistor MOSFET canal N CMS 30V 86A/340Ap 79W 0.0052R (61A)

Transistor IRFR3910

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 100V. Courant de Drain maxi: 16A. Puissance: 79W. Rds: 0.115 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Transistor IRFR4105

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 55V. Courant de Drain maxi: 27A. Puissance: 68W. Rds: 0.045 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Transistor IRFR420

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 500V. Courant de Drain maxi: 2.4A. Puissance: 42W. Rds <3 Ohms. HEXFET. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Transistor IRFR5305

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 55V. Courant de drain maxi: 31A. Puissance: 110W. Résistance passante (Rds)<0.065 Ohms. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Transistor IRFR5505

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 55V. Courant de drain maxi: 18A. Puissance: 57W. Résistance passante (Rds)<0.11 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Transistor IRFR9014

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET) 60V 5.1A. Référence d'origine constructeur: IRFR9014PBF. Boîtier: D-PAK. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 5.1A. Puissance: 25W. Résistance Rds: 0.5 Ohms. HEXFET POWER MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

Transistor IRFR9024

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 60V. Courant de drain maxi: 8.8A. Puissance: 42W. Résistance passante (Rds)<0.28 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

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